廣州南沙成為國(guó)內(nèi)首個(gè)實(shí)現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈布局的地區(qū)。5月17日，廣州南沙新區(qū)舉行第二季度重大項(xiàng)目集中簽約暨芯粵能碳化硅芯片制造項(xiàng)目主體工程封頂活動(dòng)。在活動(dòng)上，廣東“強(qiáng)芯工程”重大項(xiàng)目，目前國(guó)內(nèi)唯一一家專(zhuān)注于車(chē)規(guī)級(jí)、具備規(guī)?；a(chǎn)業(yè)聚集及全產(chǎn)業(yè)鏈配套能力的碳化硅芯片制造項(xiàng)目芯粵能有限公司實(shí)現(xiàn)主體封頂，9個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)簽約，涉及總投資300億元，達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)值630億元。

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿(mǎn)足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)肖國(guó)偉介紹，芯粵能碳化硅芯片項(xiàng)目總投資75億元人民幣，占地150畝。一期投資35億元，建成年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)線(xiàn);二期建設(shè)年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸碳化硅晶圓芯片的生產(chǎn)線(xiàn)。

項(xiàng)目產(chǎn)品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)、充電樁、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領(lǐng)域，達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)值將達(dá)100億元。“芯粵能碳化硅芯片制造項(xiàng)目順利封頂，將有效填補(bǔ)省內(nèi)車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片規(guī)?；a(chǎn)的空白。”肖國(guó)偉說(shuō)。

此次芯粵能碳化硅芯片制造項(xiàng)目所在地，正是南沙規(guī)劃建設(shè)的集成電路產(chǎn)業(yè)園。目前，園區(qū)內(nèi)已建成南砂晶圓碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項(xiàng)目(材料)、芯聚能新能源汽車(chē)第三代半導(dǎo)體研發(fā)和生產(chǎn)基地(設(shè)計(jì)、封測(cè)和分立器件)、聯(lián)晶智能LED車(chē)燈模組研發(fā)和生產(chǎn)基地(應(yīng)用)。

記者在會(huì)上獲悉，芯粵能碳化硅芯片制造項(xiàng)目的落戶(hù)，填補(bǔ)了寬禁帶半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈中的“制造”環(huán)節(jié)，園區(qū)內(nèi)初步形成了覆蓋寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、材料全產(chǎn)業(yè)鏈的完整生態(tài)，推動(dòng)南沙新區(qū)成為國(guó)內(nèi)首個(gè)實(shí)現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈布局的地區(qū)。

活動(dòng)當(dāng)天還有一系列與半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)相關(guān)的重大項(xiàng)目集中簽約，包括巨灣技研儲(chǔ)能器件與系統(tǒng)生產(chǎn)基地(廣汽集團(tuán)在儲(chǔ)能新材料領(lǐng)域研發(fā)的重要成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目)、安捷利封裝載板和類(lèi)載板項(xiàng)目(國(guó)內(nèi)首個(gè)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體柔性封裝載板規(guī)?；慨a(chǎn)的項(xiàng)目)等9個(gè)重大項(xiàng)目。